一、减小光刻中驻波效应的新方法研究（论文文献综述）
宋冠儒[1]（2021）在《基于MEMS技术的电涡流传感器探头研究》文中认为涡流检测技术是重要的无损检测技术之一,探头是涡流传感器的关键元件,平面螺旋线圈具有一致性好、检测精度高、环境适用性好等优点,已经在涡流传感器探头中得到广泛应用。随着检测需求增加,探测线圈的小型化、精密化、阵列化和柔性化已经成为电涡流传感器探头的发展方向,本文基于MEMS技术,为电涡流探头的设计与制作,提供新的方法。本文的主要研究内容如下:（1）分析涡流检测中探测线圈阻抗变化与耦合系数的关系,研究电参数对传感器性能的直接影响。首先阐述涡流检测的测量原理,对线圈阻抗分析方法进行研究,根据等效涡流环理论,利用等效电感变化反应耦合系数的变化,分析影响探测线圈检测性能的因素。通过有限元分析方法,研究探头的结构参数、电参数和传感器性能之间的关系,发现单位面积内感应线圈的电感越大,传感器的灵敏度、测量范围等性能越好。（2）建立探头物理模型,实现电参数快速提取,研究探头结构参数对电参数的影响。利用电涡流传感器探头的等效电路,研究探头探测线圈的电参数计算方法,采用Matlab软件对探测线圈进行建模设计,实现探头电参数的快速提取,对探头的初步设计起到指导作用。利用Matlab模型得到的电参数计算值与仿真结果相符,利用该模型分析探头结构参数对电感、电阻、品质因数Q值和自谐振频率的影响。在电涡流传感器的设计中,可以按照探头实际性能的需求,根据此模型,实现探头设计中对结构参数的初步确定,提高设计效率,为探头的设计提供新的思路。（3）利用MEMS技术完成刚性探头和柔性探头的制作并进行阻抗测试。对厚胶工艺、电铸工艺和种子层工艺进行分析,提出一种基于MEMS技术的电涡流传感器探头制作方法。对AZ50XT光刻胶的尺寸精度问题进行研究,通过优化匀胶工艺和抛光工艺,提高胶膜均匀性,并采用多次曝光显影工艺,制作出厚度大于50μm的正性胶膜,结构沟道内无残胶,侧壁陡直性好。对微电铸工艺进行研究,优化工艺参数,配置所需电铸液,减少断路现象。基底种子层选择Cr/Cu作为溅射层,厚度分别为20 nm和50 nm,结合力好且方便去除。在制备工艺研究的基础上,设计合理的工艺流程,制作出具有多层结构的刚性探头和柔性探头。使用阻抗分析仪对探头进行测试,电感值达到14μH,电阻值仅为14Ω和17Ω。
于淼[2]（2021）在《像素偏振片阵列的制备及性能研究》文中指出偏振成像探测技术为特殊环境下提高对目标的探测能力提供了新的成像手段。根据偏振信息收集方式以及观测成像场景的不同,常用的偏振探测方法主要有分时偏振探测、分振幅偏振探测、分孔径偏振探测和分焦平面偏振探测。分焦平面型偏振探测方法是将不同偏振方向的4个像素级亚波长金属光栅组成的微偏振片阵列集成到相机的像元上,实现偏振成像探测系统的微型化。该方法具有系统稳定、结构简单、体积小、偏振性能好、能够实时偏振成像等优点。但是受到像元尺寸以及光栅的周期、线宽和制备工艺等约束,其消光比以及偏振探测的准确度有待进一步提高。本文针对分焦平面型亚波长金属光栅的制备及偏振性能进行了研究,在模拟仿真上,建立了不同结构参数的金属光栅模型,对金属光栅不同周期、高度、线宽以及氧化层厚度的透过率和消光比进行了模拟仿真,研究了结构参数和氧化层厚度对偏振性能的影响。在光栅制备上,分别采用电子束光刻技术和激光干涉光刻技术对像素级亚波长金属光栅偏振片阵列制备进行了研究,提出了超透镜增强激光干涉光刻技术制备像素级光栅阵列的方法,研究了网栅结构的形成机理,分析了制备过程中曝光参数对结构尺寸和形貌的影响。在性能测试上,针对制备的像素偏振片阵列在可见光波段设计并搭建了偏振性能测试系统,为分焦平面型亚波长金属光栅阵列的偏振性能提供了测试方法,测试并分析了制备得到的不同光栅方向像素偏振片阵列的偏振性能。论文研究了亚波长金属光栅偏振片选择透过性机理,利用FDTD Solutions数值仿真软件建立了Al金属光栅模型,研究了Al金属光栅不同结构参数（周期、高度、线宽）以及氧化层厚度的偏振特性。在300-700 nm波长范围内,仿真了光栅不同周期（100/140/170/200 nm）和高度（50/100/150/200 nm）的透过率和消光比,发现周期越小,TM透过率越高,消光比越大。考虑制备工艺条件,本文将针对周期为170 nm的亚波长Al金属光栅阵列进行研究。在170 nm周期的基础上,对不同的光栅高度进行了研究,综合考虑TM透过率和消光比的趋势,确定光栅高度为150 nm。研究了纯Al光栅不同线宽（60-110 nm和110.6-125.7 nm）的TM、TE透过率和消光比,结果表明,线宽越宽,TM透过率越低,消光比越大。当相邻线宽的差值为3-7 nm时,其透过率和消光比发生了明显的变化。研究了光栅不同氧化层厚度（4-12 nm）的透过率和消光比,发现与纯Al光栅相比,表层被氧化的Al金属光栅的偏振性能下降,并且偏振性能与氧化层厚度成反比。采用电子束曝光与感应耦合等离子刻蚀技术相结合的方法,在石英基底上制备得到了像素级分焦平面型亚波长Al金属光栅阵列。光栅方向分别为0°、45°、90°和135°,像元尺寸为6.4μm×6.4μm。研究了电子束曝光过程中邻近效应对结构的影响,实验中采用剂量校正和图形尺寸补偿的方式有效地避免了邻近效应导致的光栅结构过曝、粘连以及曝光不足等问题。研究了电子束曝光剂量变化对光栅结构特征尺寸的影响,发现电子束曝光剂量改变10μC/cm2,Al金属光栅结构的线宽发生3-7 nm的变化。另外,提出了一种超透镜增强激光干涉光刻技术高效制备Si光栅的方法。研究了网栅结构的形成机理,以及双光束直接激光干涉光刻不同曝光剂量和干涉光强对比度对结构形貌和特征尺寸的影响,通过单次曝光制备得到了Pt纳米网光栅、Pt光栅以及Si光栅结构。采用双光束直接激光干涉光刻技术,利用掩膜版制备得到了分焦平面型0°、45°、90°和135°方向Si光栅结构,可以应用在THz偏振探测系统中。针对制备得到的像素级亚波长金属光栅阵列,在可见光波段设计并搭建了偏振性能测试系统。由于本文中所制备的分焦平面型金属光栅的像元尺寸较小,并且同时存在4个方向的像素级亚波长金属光栅阵列,所以需要对各个像素单元不同方向的光栅结构分别进行测试。文中介绍了测试系统的组成部分和测试方法,并且基于偏振性能测试系统搭建了Do LP和Ao P的测试光路系统。测试结果表明,经过起偏器起偏的入射光的线偏振性非常好,可以认为是完全线偏振光。应用搭建的系统对制备的光栅结构进行了测试,研究了氧化时间对消光比的影响,验证了仿真结果的正确性,分析了测试结果与仿真结果存在差异的原因。
孙蕾[3]（2020）在《SU-8微纳流控芯片制造方法及相关理论研究》文中指出微纳流控芯片是将微米结构和纳米结构集成为一体的多功能芯片,在基因测序、生化分析和环境检测等方面展现出广阔的应用前景。目前,微纳流控芯片制造面临生产成本高、制作工艺复杂、加工周期长等难题。因此,探究微纳流控芯片的高效低成本制造方法具有重大的现实意义。鉴于SU-8光刻胶具有成本低、易于加工、机械强度高、化学性能稳定和生物兼容性好等优点,本文对SU-8微纳流控芯片的制造方法及相关理论进行了研究,主要内容包括以下几个方面:（1）硅纳米模具低成本制造方法及相关理论研究目前,SU-8微纳流控芯片中的纳米沟道通常是利用纳米模具通过热纳米压印技术获得的,因此,纳米模具制造是微纳流控芯片制造的关键步骤。本文提出了两种低成本制造大面积硅纳米模具的新方法。方法一利用倾斜蒸镀和等离子体刻蚀技术制造了硅纳米凹模具,通过研究光刻胶厚度、蒸镀角度和刻蚀时间对纳米凹槽尺寸的影响,制造了不同尺寸的硅纳米凹模具,其中纳米结构最小宽度为108 nm。方法二利用接近式紫外曝光和深反应离子刻蚀制造了硅纳米凸模具,基于光的衍射理论分析了接近式曝光图形缩小的原理,优化了曝光、显影、后烘和深反应离子刻蚀等各项工艺参数,制造了不同尺寸的高质量硅纳米凸模具,其中纳米结构最小宽度为263 nm。这两种加工方法均可以实现4英寸硅纳米模具制造,纳米结构均匀性良好,且不依赖昂贵的加工设备,生产成本低、工艺简单、制作周期短。（2）SU-8光刻胶热压印填充行为研究通过测量SU-8光刻胶的应力松弛曲线和流变曲线,分析了不同温度下SU-8光刻胶的流变特性。结合热纳米压印实验讨论了不同压印温度下SU-8光刻胶的填充行为,在优化的压印参数（温度85℃、时间3 min）件下,制造了复制误差仅为2.8%的高精度纳米沟道。该研究为提高SU-8微纳流控芯片加工精度奠定了基础。（3）二次浇注和紫外热纳米压印制造跨尺度微纳流控芯片工艺研究利用硅纳米凹模具,通过二次浇注聚二甲基硅氧烷（PDMS）,制造了 PDMS跨尺度微纳模具,并利用该模具采用紫外热纳米压印的方法制造了 SU-8跨尺度微纳流控芯片。优化了曝光时间、键合温度和氧等离子体处理功率及时间等工艺参数,提高了跨尺度微纳米图形的加工精度,并通过荧光测试表征了芯片的键合质量。该方法步骤简单、适用性强、工艺稳定性好、芯片成品率高,因此降低了跨尺度微纳结构的加工难度和生产成本,可用于实现批量化的跨尺度微纳器件制造。（4）薄膜生长和二次键合法分步制造微纳流控芯片工艺研究利用硅纳米凸模具通过热纳米压印制造了 SU-8光刻胶纳米沟道,利用生长聚对二甲苯（Parylene）薄膜法缩小了纳米沟道尺寸,并讨论了 Parylene沉积压力对薄膜粗糙度的影响。结合生长Parylene薄膜和二次键合法实现了通道最小宽度为100 nm以下的微纳流控芯片制造,并优化了键合温度和氧等离子体处理参数,提高了芯片的键合强度,通过荧光测试表征了芯片的键合质量。该方法适合低成本批量化的微纳流控芯片制造。综上所述,本文通过SU-8微纳流控芯片制造方法及相关理论的研究,实现了低成本制造微纳流控芯片,为微纳流控芯片的制造方法提供了新的技术思路,同时也为推动微纳流控芯片的广泛应用提供了有力支撑。
郭学佳[4]（2014）在《高数值孔径光刻中偏振效应及图形保真技术研究》文中进行了进一步梳理图形保真是集成电路制造对光刻的基本要求，随着光刻技术发展到45nm及以下节点，偏振光刻图形保真技术面临越来越多的挑战。本文面向45nm节点高数值孔径（NA）浸没式光刻，系统地研究偏振效应以及关键因素对图形保真的影响，探讨各因素之间对图形保真的相互补偿作用，并基于矢量光刻成像理论，研究提高图形保真度的优化方法和技术。针对浸没式光刻机中照明系统和成像系统均会引起成像偏振光偏振态的变化，本文建立了更接近实际照明系统的非均匀偏振照明模型，研究了非均匀偏振照明对图形保真的影响；建立了获取CODE V设计的投影物镜偏振像差的方法，并分析了设计阶段投影物镜的偏振像差及其对图形保真的影响，支撑了低偏振像差投影物镜的优化设计。研究了光刻机、工艺、掩模中的关键参数分别对图形保真的影响。通过分析单一参数对图形保真的影响趋势，探索参数之间对图形保真的相互补偿作用，为研究多参数同时作用和协同优化提供了基础的研究依据。利用课题组建立的矢量成像理论，首次建立了解析的光源、掩模、NA协同优化（SMNO）方法，验证了本文提出的参数化模型的近似精度（最大误差RMS为0.17%），可以满足45nm及以下节点的仿真精度要求。SMNO方法同时考虑了光源、掩模、NA三者共同对光刻性能的作用，优化结果显示，SMNO方法相比光源掩模优化（SMO）方法，在满足分辨率要求的前提下，能够在较大焦深内获得高保真度的光刻成像。该方法既降低了光源和掩模的复杂度，又提高了优化效率。为了在更高的维度内优化光刻成像性能，首次建立了光刻机、工艺、掩模多参数协同优化方法，开发了可同时优化70余个参数的协同优化软件，在更大的工艺窗口内获得了高保真的光刻成像。为了解决优化过程中大尺度的参数被小尺度参数限制的问题，提出了一种归一化的参数优化方法，可以同时优化不同尺度的参数，提高了优化效率，改善了优化效果。针对线条和接触孔图形结构，利用多参数协同优化方法优化后的焦深（EL=5%时）分别增大了172.2%和118.05%。更重要的是，上述两种图形保真技术用于存在偏振像差的实际投影物镜系统时，因其协同优化的优势，仍然能在较大焦深范围内实现高保真光刻成像，降低并补偿了偏振效应对光刻成像保真度的影响。此外，针对实际光刻机中杂散光、工件台运动标准偏差、工件台z方向振动等因素对工艺窗口和图形保真的影响，多参数协同优化方法通过利用多种因素影响的补偿效应，显着地降低了这些因素对光刻成像保真度的影响，保障了非理想光刻机的光刻性能，达到了本研究论文的研究目标。
王志诚[5]（2012）在《KrF掩模版在ArF曝光机上的应用研究》文中进行了进一步梳理在集成电路制造中,以光刻技术为主要方法的微细加工是实现大规模集成电路的一个关键技术,单个半导体器件的几何尺寸的大小依赖于该技术的不断进步,芯片集成度的突飞猛进得益于该技术的快速发展。目前在光刻工艺中需要使用掩模版将设计图形转移到晶圆上。通常在设计制造掩模版时需要考虑曝光光源的影响,所以需要对掩模版上图形进行一定的修正,从而避免或减小图形的失真。但是对于不同的曝光光源对掩模版图形的修正具有不同的方法,同时掩模版所使用的相移掩模厚度也会不同,将造成掩模版无法在不同光源的光刻机上使用,从而造成生产资源的闲置,间接造成制造成本的增加。本论文将研究将KrF掩模版应用于ArF曝光机上,首先通过光刻胶的性能选择合适的ArF光刻胶,再用prolitho仿真软件的模拟,确定最佳的光刻胶厚度。再对ArF光刻机的制程参数进行调整及优化,选择最佳的NA及Sigma。同时与基准制程（KrF制程）相对比,通过实验找到ArF工艺最佳的DOF及曝光能量,从UDOF及EL确定工艺窗口ArF工艺大小。为了能够得到良好的CD,通过CD均匀性实验,检查硅片上CD的整体情况,同时通过对光阻做ADI及AEI剖面图,检查在显影及蚀刻工艺后的光刻胶情况。最后经过2个LOT的试生产检查产品是否具有缺陷。经过以上工作使得ArF曝光机能够兼容KrF掩模版,从而大大提高ArF机台的利用率,达到提高产量并减小成本的目的。
邱克强[6]（2008）在《软X射线透射光栅制作》文中研究表明作为X射线波段的一种重要色散元件,金透射光栅主要用于激光惯性约束核聚变（ICF）实验中的等离子体诊断,以及X射线天体物理研究的高能透射光栅光谱仪中。使用全息光刻技术制作金透射光栅工艺复杂,尤其是制作具有高线密度的自支撑金透射光栅。因此,对其制作工艺进行系统化的研究十分必要。本课题的目的是要掌握软X射线透射光栅的制作工艺,并制作出高线密度自支撑金透射光栅。论文的主要内容包括:1.对全息光刻制作光刻胶掩模工艺进行了深入的研究。建立了曝光监测与显影监测系统,通过大量的实验与分析,能够根据监测曲线的变化趋势,较为准确地确定不同基片所需要的最佳曝光量及最佳显影时间,实现了对曝光及显影过程的控制。2.对两种光刻胶掩模图形转移工艺技术——离子束刻蚀与电镀工艺,从实验上进行了探索。尝试了消除金再沉积现象的两种常见方法——倾斜旋转刻蚀与使用薄掩模,并取得了显着的效果。对电镀沉积金的工艺,从实验上探讨了电镀液的温度、pH值以及电流密度对电镀沉积制作的金光栅质量的影响,根据对实验结果的比较与分析获得了较为合适的电镀条件。3.计算并模拟了全息曝光过程中光刻胶内的光强分布,计算与实验结果证实了来自基底的反射光将与入射光干涉,从而使光强分布出现明显的驻波效应。进一步的分析与实验结果表明,随着基底反射率的增加,驻波效应变得越来越严重,进而给全息光刻制作的光刻胶光栅掩模的槽形、占宽比带来不利影响,并减小对曝光光束光强偏差的宽容度。因此,基底的高反射率将给光栅掩模的制作带来麻烦,尤其是利用全息光刻制作具有较窄线宽的高线密度光刻胶光栅掩模。最后提出了通过在基底与光刻胶之间增加一层减反射膜（ARC）的办法吸收来自基底的反射光强度,以减弱驻波效应的办法。实验结果表明这种方法效果显着。4.设计并制作了位相型金透射光栅,光栅的周期1μm,槽深约200nm,占宽比约0.55,面积5mm×15mm。在中国科技大学国家同步辐射实验室的光谱辐射标准与计量站测量了它在5—12nm波段的各级透射衍射效率,结果表明,在7.425nm波长处,其1级衍射效率大约为16%。5.探讨了在基底与光刻胶之间增加减反膜层后,制作自支撑金透射光栅的工艺过程,并对减反膜层的制备、保护层的制作,减反膜的反应离子刻蚀、电镀掩模占宽比的控制、电镀中应注意的问题以及支撑结构的制作等工艺细节进行了较为全面的实验研究。制作出了周期290nm,面积达10×15mm的自支撑金透射光栅。自支撑结构占宽比约35%。经测量,其1级衍射效率约为4—6%。
张自军[7]（2008）在《磁性微结构的制作及其特性研究》文中认为由于在超高密度磁存储技术、磁阻传感器、磁随机存储器等诸多方面有着广泛的应用前景,微米、纳米磁性单元阵列最近吸引了越来越多的兴趣。目前,磁性单元研究包括微米、亚微米以及纳米尺度的磁性单元的制作及其特殊的磁特性研究。这些微小的单元的磁特性与大块材料以及连续膜的磁性有着诸多的不同之处。各向异性、单元之间的相互作用以及不同状态的磁畴结构是其中的几个最重要的问题,它们对于磁滞回线、矫顽力、剩磁、饱和场都有影响,而这些参数对于磁性单元的应用是很重要的,虽然已经有大量的工作对其进行了研究,但由于磁性单元结构磁性的复杂性,还需要进行更多的研究。在众多的磁性材料中,CoFe被认为是在自旋电子学领域有着广泛应用前景的铁磁性材料之一。本文以采用磁控溅射在Si衬底上沉积Ta＼Co0.9Fe0.1＼Ta的三明治薄膜为基底,采用全息光刻-离子束刻蚀技术制作微米、亚微米以及深亚微米的Co0.9Fe0.1单元结构,并研究了Co0.9Fe0.1单元磁性。论文的主要工作包括:一.Ta＼Co0.9Fe0.1＼Ta单元阵列的全息光刻离子束刻蚀制作研究1)全息光刻获得二维图形的研究。本文采用苏州瑞红公司RZJ-390型正性光刻胶,系统研究了劳埃镜光路两次曝光制作二维的光刻胶图形从孔阵到点阵的演变过程,及其与曝光量和显影时间的关系,得出获得二维光刻胶孔阵和点阵的最佳曝光量与显影时间。讨论了全息光刻工艺的影响因素,探讨了优化的工艺参数组合。2)高反射率基底垂直驻波图形及其消除方法的研究。磁性材料具有高反射率,实验测得50nm厚的Ta＼Co0.9Fe0.1＼Ta薄膜对于波长为441.6nm的全息光刻激光光源具有较大的反射率,全息光刻的基底反射形成的垂直驻波将对光刻胶图形产生严重影响。惯用的减少垂直驻波影响的方法是使用抗反膜（ARC）,也有采用增加曝光量的方式来减少垂直驻波。但是,使用抗反膜的工艺复杂,增加曝光量则使得光刻工艺的可重复性以及可控性下降,本文利用光刻胶灰化工艺很好地消除了垂直驻波的影响,使得高反射基底全息光刻可控性得以提高。3)全息光刻实现100nm以下图形尺寸的方案研究。利用增加曝光量、增加两相干光夹角的方法获得了特征尺寸200nm的一维光刻胶条纹图形和特征尺寸100nm的二维点阵图形。利用光刻胶灰化工艺的各向同性,将光刻胶灰化技术引入纳米级精确可控光刻胶图形研究,制得了单元尺寸为150nm的光刻胶图形。4)Co0.9Fe0.1合金膜图形化氧化防护研究。由于离子束刻蚀后,大量单元侧壁暴露在空气中,因此Co0.9Fe0.1会被氧化。采用XPS研究了刻蚀后样品中的元素氧化情况,表明在空气中放置一周后的样品中的Fe大部分被氧化成三价氧化物。为了防止样品的氧化,我们采用刻蚀后原位溅射生长Au薄层的方法,很好地解决了样品氧化问题。二.Co0.9Fe0.1单元阵列的磁性研究将软X射线磁性圆二色（SXMCD）技术引入到铁磁性微结构表征的研究中。以国家同步辐射实验室的磁性圆二色实验站为平台,探讨了XMCD技术用于磁性微结构单元表征所需要的条件。研究了样品有效吸收面积减小对于XMCD谱的影响。采用SMOKE、SQUID获得了多种Co0.9Fe0.1磁性深亚微米图形单元的室温的磁滞回线。得到其饱和磁场强度、矫顽力等重要的磁性。利用磁力显微镜（MFM）获得了Co0.9Fe0.1磁性深亚微米图形单元磁畴结构,并分析了其磁畴形态。我们的研究成果与已有的研究结果吻合,并丰富了铁磁性亚微米单元磁性研究技术。
郭小伟[8]（2007）在《SLM无掩模光刻技术的研究》文中研究指明近年来，空间光调制器（SLM）无掩模光刻技术受到微电子及相关领域的广泛关注。SLM作为无掩模光学光刻系统的图形发生器，可便捷、灵活、并行、低成本和高速地产生曝光图形，在小批量高精度掩模制作和微光学器件生产中发挥了重要作用，在高分辨集成电路制作上也表现出极其诱人的应用前景。目前，发展SLM光刻技术已成为国际光刻系统制造领域的一个重要研究内容，基于SLM的无掩模光刻系统有望成为下一代微纳加工的一个重要工具。为满足我国对纳米加工技术日益增长的应用需求，促进我国微电子和MOEMS技术的快速发展，本论文以开展SLM光刻成像理论和研制SLM无掩模光刻系统为目标，对作为数字图形发生器应用于无掩模光刻中的MEMS微镜的光学特性、成像特性、基于SLM的无掩模光刻成像质量及相关问题进行了深入、系统的理论研究和实验探索。研究内容包括：1．系统地阐述和总结部分相干成像和抗蚀剂曝光显影理论，针对用于无掩模光刻的几种空间光调制器的特点进行了深入细致地研究。通过数学建模以分析倾斜型、活塞型和数字微反镜的光学特性，通过比较它们作为光刻系统的数字掩模的成像效果的差异，总结各种MEMS微镜的光刻成像特点，进而建立适于描述无掩模光刻成像的理论模型、数字灰度成像计算机仿真算法，并编写光学光刻过程的计算仿真软件。为SLM无掩模光刻成像分析、作为数字掩模的MEMS器件参数确定和无掩模光刻成像光路设计提供理论依据。2．分析集成电路制作对SLM无掩模光刻成像特性和质量的要求，探索提高SLM光刻分辨率的有效途径。研究表明，SLM用于光刻系统中，在线宽调制、线边缘和线条位置定位、改善成像质量方面比传统掩模有特色、更灵活。针对SLM光刻成像对离焦量较为敏感问题，提出通过微镜的排列方式改善成像系统焦深，探讨光学邻近效应校正技术改善SLM成像质量的可行性，并发展了用优化偏转微镜的偏转量来改善光刻图形质量的牛顿—拉普森算法。3．探讨数字灰度光刻技术，采用DMD搭建数字灰度光刻系统，开展数字灰度光刻制作微光学器件的理论和实验研究，提出用DMD灰度曝光装置制作微光学器件曝光方式及改善器件加工质量的方法，包括衍射栅格消除、数据传输量、边缘畸变校正等问题。针对脉宽调制编码方法对连续对称图形易引起周期性的表面起伏问题，采用通过调整照明源相干性技术或预优化SLM掩模图形技术来加以校正；通过成像系统结构和曝光显影工艺的优化，制作出多种面形的微光学元件，为快速，方便地制作微结构元件提供了一种新思路。4．目前，纳米加工技术和表面等离子激元（SPP）技术是学界国际上关注的热点，而探索无掩模超衍射极限纳米光刻技术也一直是我们的追求目标。论文最后一章试图把SPP技术应用于无掩模光刻，通过深入分析SPP形成的物理机理与特点，提出利用宽光束照明全内反射激发SPP实现大面积无掩模纳米干涉光刻的方案，并进一步提出利用厚金属SPP共振透射机制实现准周期性、非周期光刻或任意纳米图形的加工。若把这一思想与SLM相结合，有可能发展成一种新型无掩模光刻装置用于制作任意形状纳米结构。
冀翔[9]（2007）在《微光学陀螺仪低损耗波导的设计与制造工艺研究》文中进行了进一步梳理高精度、高可靠性、重量轻、小型化是惯性导航系统追求的主要目标。陀螺仪作为捷联惯导系统的重要组成部分，成为各国重点发展的高科技军事和民用技术。微光学陀螺仪（MOG：micro optic gyroscopes），又称集成光学陀螺仪（integrated optic gyroscopes）是在继机械陀螺（Mechanical gyroscopes）激光陀螺（RLGS：ring laser gyroscopes）和光纤陀螺（FOGS：fiber optic gyroscopes）之后发展的第四代陀螺仪，它以波导取代光纤，将光源分束器、探测器、处理电路包括微加速度计集成在同一片硅片上，从而实现体积更小运转更可靠的目标。集成光学陀螺仪研制中涉及到的关键技术有：低损耗弯曲波导基底的制备，在波导基底层制作封闭曲线（谐振式）或螺旋线（干涉式），制作波导线条（沟道或脊形）并在不改变面型情况下溅射被覆层，用面耦合技术制成互易波导，利用高效光源偏光技术给予光调制并提取信号，利用光纤陀螺的成熟技术进行信息处理，从而制作出有实用价值的微光学陀螺仪（MOG）。MOG研制中的最关键一项技术是制备低损耗螺线波导并用面耦合技术做成互易结构，本论文主要针对此项技术进行理论分析设计和实验实践。通过理论分析提出低损耗波导设计方案和耦合方案，用微偏移、外侧刻槽、波导透镜等措施减少弯曲损耗。在实验实践中，利用厚胶光刻和反应离子束蚀刻技术实现深宽比1：1的螺线环沟道，对图形线条展宽的影响因素，包括掩模、光刻胶、曝光、显影、温度的影响和刻蚀二次效应的等工艺条件进行讨论分析和实验验证，提出采用多次旋涂、消除芽孢、低温后烘和刻蚀以及光学稳定等措施，使展宽得到有效的改善；并讨论利用反应离子束蚀刻技术制备波导沟道，对严重影响面型粗糙度的草地现象的形成原因和工艺改善进行实验实践，提出进行光学稳定、调节离子入射角和改变刻蚀气体压强组成等减小草地现象的措施，对制备低损耗波导进行有益的探索。文中也对耦合方案、耦合损耗及其改善和系统设计进行分析讨论。讨论不同耦合方案的效率，损耗的特点和回避措施，并给出一种系统设计方案。
唐雄贵[10]（2006）在《厚胶光学光刻技术研究》文中提出厚胶光学光刻具有工艺相对简单、与现有IC工艺流程兼容性好、制作成本低等优点，是用来制作大深度微光学、微机械、微流道结构元件的一种很重要的方法和手段，具有广阔的应用前景，因而是微细加工技术研究中十分活跃的领域。厚胶光刻是一个多参量的动态变化过程，多种非线性畸变因素的存在，使得对其理论和实验的研究，与薄胶相比要复杂得多。本论文针对国内外厚层光学光刻研究现状，以研究制作高质量大深度微结构元件的相关理论和技术为目标，以厚胶光刻过程的物理、化学机理为基础，从理论到实验工艺进行了较深入的研究。 首先，针对厚胶光刻的特点，基于角谱理论，对抗蚀剂进行分层处理，建立了衍射光场在厚层光刻胶中传输的标量模型。考虑到各分层频率间隔的变化和计算量的要求，提出了快速傅立叶的改进算法。对于光刻图形线宽较小、深宽比较大情形，由于横向上的折射率非均匀分布对光场分布影响不可忽略，利用傅立叶模方法，建立了描述厚层光刻胶内衍射光场形成过程的矢量模型。厚层光刻胶内衍射光场传输的物理模型的建立为准确、快速、有效的模拟厚层光刻胶光刻全过程打下了基础。 然后，编写了模拟厚胶光刻全过程的模拟计算软件，该软件包可以对光刻胶内部衍射光场、光敏化合物空间分布、光刻胶显影轮廓进行二维以及三维模拟，这不仅有利于深入理解厚胶光刻过程机理，而且为光刻过程工艺的优化提供了重要工具。在此基础上，模拟分析了曝光波长、空隙距离及光刻胶吸收系数对光刻胶面形质量的影响。 接着，以AZ P4620光刻胶为研究对象，理论分析了曝光光强对反应速率的
二、减小光刻中驻波效应的新方法研究（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、减小光刻中驻波效应的新方法研究（论文提纲范文）
（1）基于MEMS技术的电涡流传感器探头研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 本文的研究背景及意义 |
| 1.2 电涡流传感器的发展和研究现状 |
| 1.2.1 涡流检测技术的发展 |
| 1.2.2 涡流检测技术的研究现状 |
| 1.2.3 电涡流传感器探头的研究现状 |
| 1.3 本文的主要研究内容 |
| 2 涡流检测的基本理论和仿真分析 |
| 2.1 电涡流传感器检测理论 |
| 2.1.1 涡流检测基本原理 |
| 2.1.2 涡流检测的等效电路 |
| 2.1.3 等效涡流环理论分析 |
| 2.1.4 趋肤效应与穿透深度 |
| 2.2 平面螺旋线圈耦合电磁场的有限元仿真 |
| 2.2.1 涡流检测有限元仿真的理论基础 |
| 2.2.2 ANSYS Maxwell有限元模型 |
| 2.2.3 提离效应产生的涡流分布和阻抗变化 |
| 2.2.4 电参数对传感器性能的影响 |
| 2.3 本章小结 |
| 3 电涡流传感器多层螺旋探头的物理模型和参数分析 |
| 3.1 电涡流传感器探头的结构确定 |
| 3.2 电涡流传感器多层螺旋探头的物理模型 |
| 3.3 多层螺旋结构探头电参数的提取方法 |
| 3.3.1 多层螺旋探测线圈电感计算 |
| 3.3.2 自谐振频率计算 |
| 3.3.3 品质因数Q值计算 |
| 3.4 螺旋探头结构参数对电参数的影响 |
| 3.4.1 线圈内径对电参数的影响 |
| 3.4.2 线圈厚度对电参数的影响 |
| 3.4.3 线圈线宽、线间距对电参数的影响 |
| 3.4.4 线圈层数对电参数的影响 |
| 3.4.5 线圈层间距对电参数的影响 |
| 3.5 本章小结 |
| 4 MEMS电涡流传感器探头的制作与测试 |
| 4.1 电涡流传感器探头MEMS关键工艺技术 |
| 4.1.1 正性厚胶多次曝光工艺 |
| 4.1.2 微电铸工艺 |
| 4.1.3 种子层工艺 |
| 4.2 MEMS电涡流传感器探头制作流程 |
| 4.2.1 刚性探头制作流程 |
| 4.2.2 柔性探头制作流程 |
| 4.3 MEMS电涡流传感器探头的性能测试 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 结论与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 附录A Maltab电参数计算程序 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 |
| 致谢 |
（2）像素偏振片阵列的制备及性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 选题背景及研究的目的和意义 |
| 1.1.1 选题背景 |
| 1.1.2 研究的目的和意义 |
| 1.2 偏振探测简介 |
| 1.3 像素偏振片亚波长金属光栅制备技术研究进展 |
| 1.3.1 模拟仿真技术 |
| 1.3.2 像素偏振片亚波长金属光栅制备技术 |
| 1.3.3 像素偏振片亚波长金属光栅制备研究现状 |
| 1.3.4 图像校正研究 |
| 1.4 论文的主要内容 |
| 第2章 偏振成像的基本理论 |
| 2.1 光的偏振理论 |
| 2.1.1 光的偏振 |
| 2.1.2 光偏振态的描述方法 |
| 2.1.3 光的偏振矩阵 |
| 2.2 亚波长金属光栅的基本原理 |
| 2.3 表面等离子激元原理 |
| 2.3.1 表面等离子激元的激发 |
| 2.3.2 表面等离子激元的色散关系 |
| 2.3.3 表面等离子激元的特征长度 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 亚波长金属光栅偏振性能仿真 |
| 3.1 亚波长金属光栅仿真模型建立 |
| 3.1.1 亚波长金属光栅仿真方法简介 |
| 3.1.2 金属光栅设计和仿真参数设定 |
| 3.2 纯Al光栅线宽对偏振性能的影响 |
| 3.3 Al光栅氧化层厚度及线宽对偏振性能的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 像素偏振片阵列的制备研究 |
| 4.1 电子束光刻技术制备像素光栅阵列 |
| 4.1.1 电子束光刻技术简介 |
| 4.1.2 像素级亚波长金属光栅制备工艺 |
| 4.1.3 电子束曝光剂量对金属光栅线宽的影响 |
| 4.2 超透镜增强激光干涉光刻技术制备像素光栅阵列 |
| 4.2.1 激光干涉光刻简介 |
| 4.2.2 超透镜增强激光干涉光刻工艺研究 |
| 4.2.3 像素级Si光栅阵列的制备 |
| 4.3 本章小结 |
| 第5章 像素偏振片光栅阵列性能测试与分析 |
| 5.1 偏振性能测试系统设计与搭建 |
| 5.1.1 测试系统的设计 |
| 5.1.2 测试系统的搭建 |
| 5.1.3 测试系统DoLP和 AoP的测量 |
| 5.2 像素偏振片光栅阵列偏振性能测试 |
| 5.2.1 数据采集方法 |
| 5.2.2 偏振性能测试 |
| 5.3 像素偏振片光栅偏振性能测试结果及分析 |
| 5.3.1 不同线宽像素级亚波长金属光栅偏振性能测试结果 |
| 5.3.2 氧化时间对偏振性能的影响 |
| 5.3.3 偏振性能测试结果与仿真结果差异分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 结论与展望 |
| 6.1 结论及创新点 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 |
| 致谢 |
（3）SU-8微纳流控芯片制造方法及相关理论研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 绪论 |
| 1.1 微纳流控芯片研究背景及意义 |
| 1.2 微纳流控芯片制造方法研究现状 |
| 1.2.1 纳米通道制造方法 |
| 1.2.2 纳米模具制造方法 |
| 1.2.3 微纳流控芯片制造方法 |
| 1.2.4 微纳流控芯片制造材料 |
| 1.3 本文的研究内容 |
| 2 大面积硅纳米模具的低成本制造方法及相关理论 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 倾斜蒸镀法制造硅凹纳米模具 |
| 2.2.1 倾斜蒸镀基本原理 |
| 2.2.2 溅射刻蚀时间对纳米模具深度的影响 |
| 2.2.3 大面积硅纳米凹模具均匀性分析 |
| 2.3 接近式紫外曝光法制造硅纳米凸模具 |
| 2.3.1 接近式曝光缩小曝光图形原理 |
| 2.3.2 接近式紫外曝光制造纳米图形 |
| 2.3.3 深反应离子刻蚀参数优化 |
| 2.3.4 大面积硅纳米凸模具均匀性分析 |
| 2.4 两种硅纳米模具制造工艺对比分析 |
| 2.5 本章小结 |
| 3 SU-8光刻胶热压印填充行为研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 聚合物流变特性的测量方法 |
| 3.3 SU-8光刻胶流变特性测试 |
| 3.3.1 SU-8光刻胶测试样品制备 |
| 3.3.2 SU-8光刻胶粘弹性分析 |
| 3.3.3 温度对SU-8光刻胶粘度的影响 |
| 3.4 温度对SU-8光刻胶填充行为的影响 |
| 3.4.1 硅纳米模具表面改性 |
| 3.4.2 热压印下SU-8光刻胶填充过程 |
| 3.4.3 温度对SU-8光刻胶填充率的影响 |
| 3.5 本章小结 |
| 4 基于二次浇注和紫外热纳米压印的跨尺度微纳流控芯片制造技术 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 PDMS跨尺度微纳模具制造 |
| 4.3 SU-8跨尺度微纳流控芯片制造 |
| 4.4 SU-8跨尺度微纳喷针制造 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 基于薄膜生长和二次键合的分步微纳流控芯片制造技术 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 二次键合制造SU-8微纳流控芯片 |
| 5.3 生长Parylene薄膜缩小纳米沟道尺寸 |
| 5.3.1 Parylene薄膜性质与制备 |
| 5.3.2 热纳米压印高深宽比纳米沟道 |
| 5.3.3 Parylene质量对沟道尺寸及深宽比的影响 |
| 5.3.4 沉积压力对沉积速率和薄膜粗糙度的影响 |
| 5.4 薄膜生长和二次键合法制造SU-8—Parylene微纳流控芯片 |
| 5.5 本章小结 |
| 6 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 创新点 |
| 6.3 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间科研项目及科研成果 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（4）高数值孔径光刻中偏振效应及图形保真技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 目录 |
| 英文符号对照表 |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 图形保真技术研究必要性 |
| 1.2 研究背景及国内外研究现状 |
| 1.2.1 光刻技术简介 |
| 1.2.2 偏振效应对图形保真的影响研究现状 |
| 1.2.3 图形保真技术研究现状 |
| 1.3 本文研究内容及意义 |
| 1.3.1 偏振效应及其对图形保真的影响 |
| 1.3.2 解析的光源、掩模、NA 协同优化 |
| 1.3.3 光刻机、工艺、掩模多参数协同优化 |
| 1.4 本论文的结构安排 |
| 第2章 多因素分别对图形保真的影响 |
| 2.1 光刻成像理论基础 |
| 2.1.1 空间像成像 |
| 2.1.2 光刻胶成像 |
| 2.2 评价图形保真的参数 |
| 2.3 偏振效应对图形保真的影响 |
| 2.3.1 偏振照明对图形保真的影响 |
| 2.3.2 偏振像差对图形保真的影响 |
| 2.4 光刻机、工艺、掩模参数分别对图形保真的影响 |
| 2.4.1 光刻机参数对图形保真的影响 |
| 2.4.2 工艺参数对图形保真的影响 |
| 2.4.3 掩模参数对图形保真的影响 |
| 2.5 两个因素共同对图形保真的影响 |
| 2.6 本章小结 |
| 第3章 多参数协同优化方法基础 |
| 3.1 综合评价函数构建 |
| 3.2 单一参数优化算法 |
| 3.3 多参数协同优化方法 |
| 3.3.1 协同优化流程 |
| 3.3.2 基于导数优化算法 |
| 3.3.3 光刻参数优化中导数的计算方法 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 解析的光源、掩模、NA 协同优化方法 |
| 4.1 解析的光源、掩模、NA 函数 |
| 4.1.1 光源函数 |
| 4.1.2 掩模函数 |
| 4.1.3 NA 函数 |
| 4.2 评价函数 |
| 4.3 解析的 SMNO 方法 |
| 4.3.1 有边界条件约束优化问题转变为无边界条件约束优化问题 |
| 4.3.2 光源函数的导数 |
| 4.3.3 掩模函数的导数 |
| 4.3.4 NA 函数的导数 |
| 4.4 解析的 SMNO 在无偏振像差系统中的应用 |
| 4.4.1 优化参数设置 |
| 4.4.2 优化结果及讨论 |
| 4.5 解析的 SMNO 在有偏振像差系统中的应用 |
| 4.5.1 偏振像差对图形保真的影响 |
| 4.5.2 SMNO 方法补偿偏振像差的影响 |
| 4.6 本章小结 |
| 第5章 光刻机、工艺、掩模多参数协同优化方法及应用 |
| 5.1 理想光刻系统的多参数协同优化 |
| 5.1.1 被优化的光刻机、工艺、掩模参数及其范围 |
| 5.1.2 评价函数 |
| 5.1.3 光刻机、工艺、掩模多参数协同优化方法 |
| 5.1.4 光刻多参数协同优化软件开发 |
| 5.1.5 优化结果及讨论 |
| 5.1.6 多参数优化相比像素化 SMO 的优越性 |
| 5.1.7 本节小结 |
| 5.2 存在偏振像差系统的多参数协同优化 |
| 5.3 多参数协同优化对实际光刻机成像性能的改善 |
| 5.4 本章小结 |
| 结论与展望 |
| 一、本论文研究工作取得的进展 |
| 二、本论文创新点 |
| 三、研究工作展望 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间发表论文与研究成果清单 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（5）KrF掩模版在ArF曝光机上的应用研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 引言 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 本文研究意义 |
| 1.3 本章小结 |
| 第2章 光刻技术原理及工艺流程 |
| 2.1 光刻工艺在集成电路制造中的作用 |
| 2.2 光刻技术的光学原理 |
| 2.3 光刻技术的工艺流程 |
| 2.4 光刻曝光光源 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 光刻分辨率增强技术的应用与分析 |
| 3.1 离轴照明技术 |
| 3.2 相移掩模技术 |
| 3.3 光学邻近效应校正技术 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 光刻胶选用及其评估 |
| 4.1 光刻胶的类型及其性能指标 |
| 4.2 光刻胶反应机理 |
| 4.3 深紫外线光刻胶 |
| 4.4 光刻胶的选择及评估 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 KrF掩模版在ArF光刻机上应用与优化 |
| 5.1 KrF掩模版与ArF掩模版的区别 |
| 5.2 KrF光刻工艺与ArF光刻工艺对比 |
| 5.3 ArF光刻工艺评估及工艺参数优化 |
| 5.4 OPC模型验证 |
| 5.5 CD均匀性和剖面检查 |
| 5.6 硅片缺陷及产品良率检测 |
| 5.7 本章小结 |
| 第6章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（6）软X射线透射光栅制作（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 衍射光栅概述 |
| 1.2.1 衍射光栅的发展 |
| 1.2.2 衍射光栅的主要类型 |
| 1.3 软X射线金透射光栅 |
| 1.3.1 主要类型 |
| 1.3.2 制作方法简介 |
| 1.3.3 主要应用 |
| 1.4 国内外研究现状 |
| 1.5 选题意义与内容安排 |
| 参考文献 |
| 第2章 透射光栅的基本理论 |
| 2.1 满足夫琅禾费衍射的条件 |
| 2.2 单狭缝的夫琅禾费衍射 |
| 2.3 透射光栅的衍射特性 |
| 2.3.1 光强分布 |
| 2.3.2 光栅方程 |
| 2.3.3 色散 |
| 参考文献 |
| 第3章 光刻胶掩模制备工艺 |
| 3.1 基片清洗 |
| 3.1.1 制备金膜前的基片清洗 |
| 3.1.2 涂胶前的基片清洗 |
| 3.2 涂胶 |
| 3.3 全息曝光 |
| 3.3.1 全息曝光原理 |
| 3.3.2 对光路的要求 |
| 3.3.3 曝光剂量的控制 |
| 3.4 显影 |
| 3.4.1 显影截止点的选择 |
| 3.4.2 对占宽比的控制 |
| 3.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第4章 光刻胶掩模图形转移工艺 |
| 4.1 金的离子束刻蚀工艺 |
| 4.1.1 原理 |
| 4.1.2 刻蚀速率 |
| 4.1.3 刻蚀终点的确定 |
| 4.1.4 金再沉积的抑制与去除 |
| 4.2 金的电镀沉积工艺 |
| 4.2.1 电镀原理 |
| 4.2.2 影响电镀金的质量的因素 |
| 4.3 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第5章 全息曝光中的驻波效应研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 光刻胶中的光强分布 |
| 5.2.1 不考虑光刻胶吸收引起的衰减 |
| 5.2.2 考虑光刻胶吸收引起的衰减 |
| 5.3 驻波的影响 |
| 5.3.1 对槽形的影响 |
| 5.3.2 对占宽比的影响 |
| 5.3.3 对光强偏差的宽容度变小 |
| 5.3.4 全息光刻中的“底膜”现象 |
| 5.4 减弱驻波效应的方法 |
| 5.4.1 显影之前烘烤 |
| 5.4.2 降低基底反射率 |
| 5.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第6章 软 X射线位相型透射光栅的研制 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 位相型透射光栅的设计 |
| 6.3 位相型透射光栅的制作 |
| 6.3.1 光栅制作工艺流程 |
| 6.3.2 实验结果与讨论 |
| 6.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第7章 300nm周期自支撑金透射光栅的制作 |
| 7.1 引言 |
| 7.2 双层胶工艺制作300nm周期金透射光栅 |
| 7.2.1 制作工艺流程 |
| 7.2.2 实验结果及讨论 |
| 7.3 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第8章 透射光栅效率测量 |
| 8.1 引言 |
| 8.2 测量方法 |
| 8.2.1 测量装置概述 |
| 8.2.2 测量光路及方法 |
| 8.3 透射光栅的效率 |
| 8.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第9章 论文的工作总结与展望 |
| 9.1 论文的工作总结 |
| 9.2 论文的主要创新点 |
| 9.3 展望 |
| 在读期间发表的学术论文及研究工作 |
| 致谢 |
（7）磁性微结构的制作及其特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 目录 |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 磁性微纳米结构的应用前景及研究现状 |
| 1.2.1 图形记录介质 |
| 1.2.2 自旋电子器件 |
| 1.3 本论文的研究工作和论文结构 |
| 参考文献 |
| 第2章 微磁学基础 |
| 2.1 概述 |
| 2.2 磁性纳米结构的制作 |
| 2.2.1 电子束光刻 |
| 2.2.2 X射线光刻 |
| 2.2.3 全息光刻 |
| 2.2.4 其他技术 |
| 2.3 磁性微纳米结构的磁特性 |
| 2.3.1 单个磁性纳米点的磁性 |
| 2.3.2 阵列点的相互作用 |
| 2.4 小结 |
| 参考文献 |
| 第3章 全息离子束刻蚀制作磁性微结构研究 |
| 3.1 概述 |
| 3.2 Co_(0.9)Fe_(0.1)薄膜生长 |
| 3.2.1 Co_(0.9)Fe_(0.1)薄膜的特性 |
| 3.2.2 Co_(0.9)Fe_(0.1)薄膜的磁控溅射生长 |
| 3.3 全息光刻基础 |
| 3.3.1 光刻胶涂覆工艺 |
| 3.3.2 全息光刻 |
| 3.4 二维光刻胶图形全息曝光、显影工艺 |
| 3.4.1 基本实验条件 |
| 3.4.2 正性光刻胶全息曝光与显影 |
| 3.5 全息光刻垂直驻波的影响研究 |
| 3.5.1 全息光刻垂直驻波的垂直驻波 |
| 3.5.2 消除全息光刻中垂直驻波图形的方法 |
| 3.5.3 光刻胶灰化工艺原理与实验 |
| 3.6 制作特征尺寸100纳米左右光刻胶图形方法研究 |
| 3.6.1 调节全息光刻参数获得100nm特征尺寸的光刻胶图形 |
| 3.6.2 光刻胶灰化修减光刻胶图形研究 |
| 3.7 全息光刻中的其它问题 |
| 3.7.1 两相干光光强不同 |
| 3.7.2 脱胶 |
| 3.7.3 杂散光的影响 |
| 3.8 离子束刻蚀与氧化防护研究 |
| 3.8.1 离子束刻蚀物理基础 |
| 3.8.2 离子束刻蚀后的磁性图形的氧化防护 |
| 3.9 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第4章 磁性微结构的XMCD研究 |
| 4.1 XMCD简介 |
| 4.1.1 XMCD的历史 |
| 4.1.2 XMCD原理 |
| 4.2 XMCD技术以及国家同步辐射实验室SXMCD实验站简介 |
| 4.2.1 XMCD实验技术 |
| 4.2.2 国家同步辐射实验室SXMCD实验站简介 |
| 4.2.3 XMCD技术的应用 |
| 4.3 Co_(0.9)Fe_(0.1)合金磁性微结构的XMCD研究 |
| 4.3.1 Co_(0.9)Fe_(0.1)合金磁性微结构的XMCD谱采集条件 |
| 4.3.2 一维Co_(0.9)Fe_(0.1)合金磁性微米线条结构XMCD研究 |
| 4.3.3 二维Co_(0.9)Fe_(0.1)合金磁性深亚微米点的XMCD研究 |
| 4.4 小结 |
| 参考文献 |
| 第5章 磁性二维点阵周期结构的磁性研究 |
| 5.1 Co_(0.9)Fe_(0.1)磁性亚微米点阵周期结构的磁滞回线研究 |
| 5.1.1 20nm厚Co_(0.9)Fe_(0.1)磁性亚微米点阵结构的SMOKE磁滞回线 |
| 5.1.2 50nm厚Co_(0.9)Fe_(0.1)磁性亚微米点阵结构的SQUID磁滞回线 |
| 5.2 Co_(0.9)Fe_(0.1)磁性亚微米点阵结构的磁力显微镜研究 |
| 5.2.1 铁磁体的磁畴 |
| 5.2.2 磁力显微镜原理 |
| 5.2.3 MFM成像质量的影响因素 |
| 5.2.4 Co_(0.9)Fe_(0.1)磁性亚微米点阵结构的MFM研究 |
| 5.3 小结 |
| 参考文献 |
| 第6章 总结与展望 |
| 攻读博士期间发表的论文 |
| 致谢 |
（8）SLM无掩模光刻技术的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.1.1 光学光刻的发展状况 |
| 1.1.2 光学光刻遇到的挑战 |
| 1.2 无掩模光刻技术 |
| 1.3 SLM无掩模光刻技术发展的现状 |
| 1.4 论文研究目的及各章内容安排 |
| 参考文献 |
| 第二章 光学光刻成像理论 |
| 2.1 光学曝光的工艺过程 |
| 2.2 曝光过程的基本理论 |
| 2.2.1 部分相干成像理论 |
| 2.2.2 抗蚀剂曝光动力学理论 |
| 2.3 显影过程的基本理论 |
| 2.3.1 Mack显影模型 |
| 2.3.2 显影轮廓的确定 |
| 2.4 光刻过程计算机仿真实现 |
| 2.5 光学曝光质量的评价 |
| 2.5.1 平面结构曝光质量评价 |
| 2.5.2 体结构曝光质量评价 |
| 2.6 小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 MEMS微镜及其光学特性分析 |
| 3.1 SLM的概述 |
| 3.2 MEMS微镜 |
| 3.2.1 MEMS微镜的发展及在光刻中的应用 |
| 3.2.2 MEMS微镜的结构原理与制作 |
| 3.2.3 MEMS微镜的计算模型 |
| 3.3 MEMS微镜光学特性的分析 |
| 3.3.1 MEMS微镜衍射分析 |
| 3.3.2 连续倾斜型和活塞型微镜灰度成像计算 |
| 3.4 小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 高分辨率SLM无掩模光刻的成像分析 |
| 4.1 SLM无掩模光刻系统分析 |
| 4.2 SLM光刻空间像形成 |
| 4.2.1 成像原理 |
| 4.2.2 系统参量的影响 |
| 4.3 MEMS微镜光刻成像特性分析 |
| 4.3.1 线宽调制能力 |
| 4.3.2 线边缘定位能力 |
| 4.3.3 任意位置的孤立线条 |
| 4.3.4 密集线条 |
| 4.3.5 焦深敏感 |
| 4.4 改进MEMS微镜结构 |
| 4.5 SLM光刻与传统掩模光刻成像质量的比较 |
| 4.6 SLM光刻图形质量的改善 |
| 4.6.1 过调制 |
| 4.6.2 衬线功能 |
| 4.6.3 灰度条和散射条功能 |
| 4.6.4 自动优化偏转量改善光刻图形质量 |
| 4.7 小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 DMD光刻制作微光学元件理论与实验研究 |
| 5.1 DMD点阵式光刻 |
| 5.1.1 单个微镜成像过程 |
| 5.1.2 单个微镜成像模拟 |
| 5.1.3 微镜阵列成像模拟 |
| 5.2 DMD投影式光刻 |
| 5.2.1 DMD投影式光刻系统的设计 |
| 5.2.2 DMD投影式光刻系统的实现 |
| 5.2.3 消DMD象素栅格 |
| 5.2.4 DMD灰度光刻数据传输量的考虑 |
| 5.2.5 脉宽调制编码方法的成像过程 |
| 5.2.6 脉宽调制编码方法的成像分析 |
| 5.2.7 表面起伏产生的物理机理 |
| 5.2.8 表面起伏的实验验证 |
| 5.2.9 表面起伏的校正 |
| 5.2.10 DMD投影光刻中边缘畸变的校正 |
| 5.3 DMD投影式光刻系统制作微光学元件 |
| 5.3.1 激光作为光源制作微光学元件存在的问题 |
| 5.3.2 利用激光光刻系统制作线条 |
| 5.3.3 白光作为光源制作微光学元件的实验研究 |
| 5.4 小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 SPP无掩模光刻新技术的理论研究 |
| 6.1 SPP的概念及性质 |
| 6.1.1 SPP的概念 |
| 6.1.2 SPP的发展方向 |
| 6.1.3 SPP的基本性质 |
| 6.2 SPP的产生 |
| 6.2.1 TM偏振激发SPP |
| 6.2.2 SPP的产生方式 |
| 6.3 SPP干涉光刻技术 |
| 6.3.1 金属光栅法引发SPP干涉光刻模拟 |
| 6.3.2 ATR法引发SPP干涉光刻模拟 |
| 6.3.3 基于end-fire型的SPP干涉 |
| 6.3.4 宽光束的SPP干涉 |
| 6.4 SPP制作任意图形结构 |
| 6.4.1 亚波长孔径超强透射机理的概述 |
| 6.4.2 利用厚金属的共振透射制作非周期性结构 |
| 6.5 小结 |
| 参考文献 |
| 第七章 总结 |
| 致谢 |
| 附录1 |
| 附录2 |
| 附录3 |
（9）微光学陀螺仪低损耗波导的设计与制造工艺研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 目录 |
| 第一章 绪论 |
| §1.1 课题背景 |
| §1.2 捷连惯导系统 |
| §1.2.1 导航、惯性导航的概念和惯性技术的发展 |
| §1.2.2 捷联式惯性导航系统的特点 |
| §1.2.3 光电惯性技术及发展 |
| §1.3 微光学与微系统技术的发展 |
| §1.4 本课题研究内容 |
| 参考文献 |
| 第二章 微光学陀螺仪理论基础和波导环设计方案 |
| §2.1 微光学陀螺仪理论基础 |
| §2.1.1 Sagnac效应 |
| §2.1.2 互易性原理 |
| §2.2 微光学陀螺仪原理 |
| §2.2.1 干涉型微光学陀螺仪原理 |
| §2.2.2 谐振型微光学陀螺仪原理 |
| §2.3 波导螺线环设计方案 |
| §2.3.1 纳米光纤掩埋方案 |
| §2.3.2 有机聚合物方案 |
| §2.3.3 波导有源增益方案 |
| §2.3.4 火焰水解预制棒方案 |
| 参考文献 |
| 第三章 低损耗波导的设计 |
| §3.1 光波导理论 |
| §3.1.1 平面光波导理论 |
| §3.1.2 平面矩形光波导理论 |
| §3.1.3 单模矩形介质波导的设计 |
| §3.1.4 光波导传输损耗 |
| §3.2 平面弯曲光波导损耗及其改善 |
| §3.2.1 波导弯曲损耗 |
| §3.2.2 弯曲波导损耗改善措施 |
| §3.2.2.1 微位移对弯曲损耗的改善 |
| §3.2.2.2 刻槽法对弯曲损耗的改善 |
| §3.2.2.3 波导透镜及其对弯曲损耗的改善 |
| §3.3 光波导材料选择及其波导制作 |
| §3.3.1 主要光波导材料的特性比较 |
| §3.3.2 光纤预制棒技术 |
| §3.3.2.1 光纤预制棒制作技术 |
| §3.3.2.2 用光纤预制棒制作技术制作波导 |
| §3.3.2.3 用光纤预制棒制作波导 |
| 参考文献 |
| 第四章 光波导光刻技术与工艺 |
| §4.1 引言 |
| §4.2 光刻胶 |
| §4.2.1 光刻胶的特性 |
| §4.2.2 光刻胶感光机理 |
| §4.2.3 光刻胶的曝光方式 |
| §4.2.4 光刻用的光源 |
| §4.3 光刻掩模板制作 |
| §4.3.1 掩模设计 |
| §4.3.2 掩模制备 |
| §4.4 光刻工艺步骤及其相关缺陷 |
| §4.4.1 基片处理 |
| §4.4.2 旋转涂胶 |
| §4.4.3 前烘 |
| §4.4.4 对准曝光 |
| §4.4.5 曝光后烘 |
| §4.4.6 显影定影 |
| §4.4.7 坚膜烘焙 |
| §4.4.8 图形检查 |
| §4.5 光刻对面形的影响及其缺陷改善措施 |
| §4.5.1 实验技术条件和结果 |
| §4.5.2 实验改善措施 |
| 参考文献 |
| 第五章 光波导蚀刻技术与工艺 |
| §5.1 引言 |
| §5.1.1 蚀刻要求与工艺 |
| §5.1.2 反应离子束刻蚀技术 |
| §5.2 离子束蚀刻(IBE)工艺 |
| §5.2.1 离子溅射效应 |
| §5.2.2 反应离子束刻蚀工艺 |
| §5.2.3 反应离子束蚀刻速率及其参数控制 |
| §5.2.4 离子束蚀刻蚀二氧化硅石英材料和硅材料 |
| §5.3 反应离子束刻蚀实验和测试结果 |
| §5.3.1 实验技术条件和刻蚀设备 |
| §5.3.2 反应离子束刻蚀实验 |
| §5.4 反应离子束刻蚀(RIE)的草地现象 |
| §5.4.1 蚀刻工艺中形成草地现象的因素 |
| §5.4.2 蚀刻草地现象的改善措施改善措施 |
| 参考文献 |
| 第六章 光波导耦合技术与陀螺系统设计探讨 |
| §6.1 引言 |
| §6.2 光波导耦合 |
| §6.2.1 波导端面的场分布 |
| §6.2.2 光波导耦合损耗和处理方法 |
| §6.2.3 光波导耦合结构设计 |
| §6.3 光波导耦合方案 |
| §6.3.1 棱镜耦合 |
| §6.3.2 光栅耦合 |
| §6.3.3 45°角反射耦合 |
| §6.3.3.1 45°角反射耦合的设计 |
| §6.3.3.2 45°角耦合方案极其制备 |
| §6.4 微光陀螺仪系统设计探讨 |
| 参考文献 |
| 第七章 总结与展望 |
| §7.1 总结 |
| §7.2 展望 |
| 参考文献: |
| 硕士期间发表论文 |
| 致谢 |
（10）厚胶光学光刻技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 光刻技术的发展概况 |
| 1.2 厚胶光学光刻研究进展 |
| 1.3 厚胶光学光刻技术应用 |
| 1.4 研究目的及意义 |
| 1.5 论文内容安排 |
| 参考文献 |
| 第二章 厚层光刻胶及其光刻工艺特点 |
| 2.1 光刻胶及其性能评价指标 |
| 2.2 光化学反应机理 |
| 2.3 厚胶光刻工艺流程及其工艺特点 |
| 2.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 厚胶内衍射光场传输标量与矢量模型 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 光刻胶表面空间像场分布 |
| 3.3 角谱理论 |
| 3.4 厚胶内衍射光场传输标量模型 |
| 3.5 光刻胶内衍射光场标量模拟分析 |
| 3.6 矢量衍射理论 |
| 3.7 矢量模型基本理论 |
| 3.8 数值模拟实例 |
| 3.9 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 光刻全过程模拟 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 厚层光刻胶曝光模型 |
| 4.3 后烘过程 |
| 4.4 光刻胶显影模型 |
| 4.5 显影过程实现模拟算法 |
| 4.6 模拟实例 |
| 4.7 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 厚胶光刻中工艺参数影响研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 曝光光强的影响 |
| 5.3 曝光光强影响的模拟与实验 |
| 5.4 烘焙工艺的影响 |
| 5.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 大深度连续面形的非线性畸变与校正 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 非线性畸变机理 |
| 6.3 模拟退火算法 |
| 6.4 校正方法 |
| 6.5 编码灰阶掩模原理 |
| 6.6 模拟实例 |
| 6.7 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第七章 利用SU-8制作大深度微结构元件初步研究 |
| 7.1 SU-8光刻胶特性 |
| 7.2 曝光影响分析 |
| 7.3 微齿轮与微活塞的制作 |
| 7.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第八章 总结 |
| 致谢 |
| 附录1 |
| 附录2 |
| 附录3 |
| 声明 |
四、减小光刻中驻波效应的新方法研究（论文参考文献）
- [1]基于MEMS技术的电涡流传感器探头研究[D]. 宋冠儒. 大连理工大学, 2021(01)
- [2]像素偏振片阵列的制备及性能研究[D]. 于淼. 长春理工大学, 2021
- [3]SU-8微纳流控芯片制造方法及相关理论研究[D]. 孙蕾. 大连理工大学, 2020
- [4]高数值孔径光刻中偏振效应及图形保真技术研究[D]. 郭学佳. 北京理工大学, 2014(04)
- [5]KrF掩模版在ArF曝光机上的应用研究[D]. 王志诚. 复旦大学, 2012(03)
- [6]软X射线透射光栅制作[D]. 邱克强. 中国科学技术大学, 2008(07)
- [7]磁性微结构的制作及其特性研究[D]. 张自军. 中国科学技术大学, 2008(06)
- [8]SLM无掩模光刻技术的研究[D]. 郭小伟. 四川大学, 2007(05)
- [9]微光学陀螺仪低损耗波导的设计与制造工艺研究[D]. 冀翔. 浙江大学, 2007(02)
- [10]厚胶光学光刻技术研究[D]. 唐雄贵. 四川大学, 2006(03)